太阳光谱载入中...
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☀️
带隙与吸收边
《材料科学基础》 伍亮 南策文
当前状态
硅 Si
近红外
带隙
E
g
=
1.12
eV
吸收边
λ
g
=
1107
nm
太阳光谱
吸收 76.1%｜透过 23.9%
—
—
—
—
—
—
AM1.5G 太阳光谱
吸收边 λ_g
被吸收
热化损失
透过（白白流走）
→ 上游模型：固态能带与费米面（为什么会有带隙）
视角：
透过
发光
光伏
带隙 E_g（eV）：
E
g
1.12 eV
▶
材料吸附点（带隙取自教材）：
显示：
可见光带
两条单调因子